HGT1S12N60A4DS Datenblatt
Technische Daten für HGT1S12N60A4DS
Artikelnummer : HGT1S12N60A4DS
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 96A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 12A
Leistung max : 167W
Energie wechseln : 55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 17ns/96ns
Testbedingung : 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
142935 Stücke
Referenzpreis
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