HN3C10FUTE85LF Datenblatt
Technische Daten für HN3C10FUTE85LF
Artikelnummer : HN3C10FUTE85LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN (Dual)
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 12V
Frequenz - Übergang : 7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) : 1.1dB @ 1GHz
Gewinnen : 11.5dB
Leistung max : 200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 20mA, 10V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80mA
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : US6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
59946 Stücke
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