HS54095TZ-E Datenblatt
Technische Daten für HS54095TZ-E
Artikelnummer : HS54095TZ-E
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 66pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92-3
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HS54095TZ-E
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
16992 Stücke
Referenzpreis
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