HTNFET-D Datenblatt
Technische Daten für HTNFET-D
Artikelnummer : HTNFET-D
Hersteller : Honeywell Aerospace
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Serie : HTMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V
Vgs (Max) : 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 28V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 50W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : 8-CDIP-EP
Paket / fall : 8-CDIP Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HTNFET-D
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9150 Stücke
Referenzpreis
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