IGB50N65S5ATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IGB50N65S5ATMA1
Artikelnummer : IGB50N65S5ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT PRODUCTS
Serie : TrenchStop™ 5
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 50A
Leistung max : 270W
Energie wechseln : 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 20ns/139ns
Testbedingung : 400V, 50A, 8.2 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : PG-TO263-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT PRODUCTS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
215715 Stücke
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