IGT60R070D1ATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IGT60R070D1ATMA1
Artikelnummer : IGT60R070D1ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Serie : CoolGaN™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-HSOF-8-3
Paket / fall : 8-PowerSFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40404 Stücke
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