IPA70R600P7SXKSA1 Datenblatt
Technische Daten für IPA70R600P7SXKSA1
Artikelnummer : IPA70R600P7SXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Serie : CoolMOS™ P7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 364pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220 Full Pack
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
413805 Stücke
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