IPB60R330P6ATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPB60R330P6ATMA1
Artikelnummer : IPB60R330P6ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH TO263-3
Serie : CoolMOS™ P6
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 370µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 93W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH TO263-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
23216 Stücke
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