IPC218N06L3X1SA1 Datenblatt
Technische Daten für IPC218N06L3X1SA1
Artikelnummer : IPC218N06L3X1SA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 196µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Sawn on foil
Paket / fall : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
191010 Stücke
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