IPD530N15N3GATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPD530N15N3GATMA1
Artikelnummer : IPD530N15N3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 21A
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 887pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 21A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
698820 Stücke
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