IPDD60R080G7XTMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPDD60R080G7XTMA1
Artikelnummer : IPDD60R080G7XTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Serie : CoolMOS™ G7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 174W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-HDSOP-10-1
Paket / fall : 10-PowerSOP Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
125170 Stücke
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