IPG20N10S4L35AATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPG20N10S4L35AATMA1
Artikelnummer : IPG20N10S4L35AATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 16µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1105pF @ 25V
Leistung max : 43W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PG-TDSON-8-10
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
912680 Stücke
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