IPI08CNE8N G Datenblatt
Technische Daten für IPI08CNE8N G
Artikelnummer : IPI08CNE8N G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 85V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 99nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6690pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 167W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IPI08CNE8N G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
51750 Stücke
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