IPI100N08N3GHKSA1 Datenblatt
Technische Daten für IPI100N08N3GHKSA1
Artikelnummer : IPI100N08N3GHKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2410pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
8416 Stücke
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