IPI80P03P4L07AKSA1 Datenblatt
Technische Daten für IPI80P03P4L07AKSA1
Artikelnummer : IPI80P03P4L07AKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : +5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 88W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9968 Stücke
Referenzpreis
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