IPP60R230P6XKSA1 Datenblatt
Technische Daten für IPP60R230P6XKSA1
Artikelnummer : IPP60R230P6XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO220-3
Serie : CoolMOS™ P6
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 530µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1450pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 126W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V TO220-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21872 Stücke
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