IRF5852TR Datenblatt
Technische Daten für IRF5852TR
Artikelnummer : IRF5852TR
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 15V
Leistung max : 960mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : 6-TSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF5852TR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26152 Stücke
Referenzpreis
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