IRF6623 Datenblatt
Technische Daten für IRF6623
Artikelnummer : IRF6623
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1360pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET™ ST
Paket / fall : DirectFET™ Isometric ST
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF6623
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
47904 Stücke
Referenzpreis
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