IRF6645TRPBF Datenblatt
Technische Daten für IRF6645TRPBF
Artikelnummer : IRF6645TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET™ SJ
Paket / fall : DirectFET™ Isometric SJ
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF6645TRPBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
686765 Stücke
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