IRF7555TR Datenblatt
Technische Daten für IRF7555TR
Artikelnummer : IRF7555TR
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1066pF @ 10V
Leistung max : 1.25W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Supplier Device Package : Micro8™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF7555TR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28742 Stücke
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