IRF7601TRPBF Datenblatt
Technische Daten für IRF7601TRPBF
Artikelnummer : IRF7601TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Micro8™
Paket / fall : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF7601TRPBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1750280 Stücke
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