IRF8513TRPBF Datenblatt
Technische Daten für IRF8513TRPBF
Artikelnummer : IRF8513TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 766pF @ 15V
Leistung max : 1.5W, 2.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF8513TRPBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
27412 Stücke
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