IRFD224PBF PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Technische Daten für IRFD224PBF

Artikelnummer : IRFD224PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 630mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 380mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IRFD224PBF

Interne Teilenummer

AX-IRFD224PBF

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

281685 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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IRFD224PBF Datenblatt

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