IRFH4255DTRPBF Datenblatt
Technische Daten für IRFH4255DTRPBF
Artikelnummer : IRFH4255DTRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 64A, 105A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1314pF @ 13V
Leistung max : 31W, 38W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PQFN (5x6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28434 Stücke
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