IRFH7110TR2PBF Datenblatt
Technische Daten für IRFH7110TR2PBF
Artikelnummer : IRFH7110TR2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-TQFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
15912 Stücke
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