IRFR3706PBF Datenblatt
Technische Daten für IRFR3706PBF
Artikelnummer :
IRFR3706PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2410pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
88W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRFR3706PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50862 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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