IRG7CH30K10EF Datenblatt
Technische Daten für IRG7CH30K10EF
Artikelnummer : IRG7CH30K10EF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT CHIP WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : -
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.56V @ 15V, 10A
Leistung max : -
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 4.8nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 10ns/90ns
Testbedingung : 600V, 10A, 22 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT CHIP WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
338715 Stücke
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