Technische Daten für IRG7CH50K10EF

Artikelnummer : IRG7CH50K10EF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT CHIP WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : -
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 25A
Leistung max : -
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 50ns/280ns
Testbedingung : 600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
IGBT CHIP WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
109785 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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