Technische Daten für IRG8CH137K10F

Artikelnummer : IRG8CH137K10F
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT CHIP WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : -
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 150A
Leistung max : -
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 820nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 115ns/570ns
Testbedingung : 600V, 150A, 2 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
IGBT CHIP WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
36222 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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