IXDI602SI Datenblatt
Technische Daten für IXDI602SI
Artikelnummer : IXDI602SI
Hersteller : IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung : 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Serie : -
Teilestatus : Active
Angetriebene Konfiguration : Low-Side
Kanaltyp : Independent
Anzahl der Treiber : 2
Gate-Typ : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung : 4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) : 2A, 2A
Eingabetyp : Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) : -
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : 7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package : 8-SOIC-EP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXDI602SI
Hersteller
Kurze Beschreibung
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
519645 Stücke
Referenzpreis
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