IXFJ20N85X PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Technische Daten für IXFJ20N85X

Artikelnummer : IXFJ20N85X

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 850V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1660pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : ISO TO-247-3

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IXFJ20N85X

Interne Teilenummer

AX-IXFJ20N85X

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

50110 Stücke

Referenzpreis

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IXFJ20N85X Datenblatt

Technische Daten für IXFJ20N85X

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