IXFN70N120SK Datenblatt
Technische Daten für IXFN70N120SK
Artikelnummer : IXFN70N120SK
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 15mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 20V
Vgs (Max) : +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2790pF @ 1000V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFN70N120SK
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7288 Stücke
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