IXFR20N100P Datenblatt
Technische Daten für IXFR20N100P
Artikelnummer : IXFR20N100P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 640 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOPLUS247™
Paket / fall : ISOPLUS247™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFR20N100P
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
55290 Stücke
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