IXFT12N100Q PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Technische Daten für IXFT12N100Q

Artikelnummer : IXFT12N100Q

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-268

Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IXFT12N100Q

Interne Teilenummer

AX-IXFT12N100Q

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9401 Stücke

Referenzpreis

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IXFT12N100Q Datenblatt

Technische Daten für IXFT12N100Q

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