IXFX32N100Q3 Datenblatt
Technische Daten für IXFX32N100Q3
Artikelnummer : IXFX32N100Q3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9940pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFX32N100Q3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
29302 Stücke
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