IXRFSM12N100 Datenblatt
Technische Daten für IXRFSM12N100
Artikelnummer : IXRFSM12N100
Hersteller : IXYS-RF
Beschreibung : 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Serie : SMPD
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2875pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 940W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 16-SMPD
Paket / fall : 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXRFSM12N100
Hersteller
Kurze Beschreibung
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26474 Stücke
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