IXTA28P065T Datenblatt
Technische Daten für IXTA28P065T
Artikelnummer : IXTA28P065T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
Serie : TrenchP™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 65V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2030pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTA28P065T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
275060 Stücke
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