IXTA60N10T PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 100V 60A TO-263

Technische Daten für IXTA60N10T

Artikelnummer : IXTA60N10T

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 60A TO-263

Serie : TrenchMV™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 176W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IXTA60N10T

Interne Teilenummer

AX-IXTA60N10T

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 60A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

243540 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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IXTA60N10T Datenblatt

Technische Daten für IXTA60N10T

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