IXTD1R4N60P 11 Datenblatt
Technische Daten für IXTD1R4N60P 11
Artikelnummer : IXTD1R4N60P 11
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V
Serie : PolarHV™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Die
Paket / fall : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
22603 Stücke
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