IXTH67N10 PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

Technische Daten für IXTH67N10

Artikelnummer : IXTH67N10

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

Serie : MegaMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247 (IXTH)

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IXTH67N10

Interne Teilenummer

AX-IXTH67N10

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

44958 Stücke

Referenzpreis

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IXTH67N10 Datenblatt

Technische Daten für IXTH67N10

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