IXTN660N04T4 Datenblatt
Technische Daten für IXTN660N04T4
Artikelnummer : IXTN660N04T4
Hersteller : IXYS
Beschreibung : 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Serie : TrenchT4™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 660A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 860nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 44000pF @ 25V
FET-Funktion : Current Sensing
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTN660N04T4
Hersteller
Kurze Beschreibung
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
30989 Stücke
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