IXTP02N50D Datenblatt
Technische Daten für IXTP02N50D
Artikelnummer : IXTP02N50D
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTP02N50D
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
124440 Stücke
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