IXTP4N65X2 PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

Technische Daten für IXTP4N65X2

Artikelnummer : IXTP4N65X2

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 455pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IXTP4N65X2

Interne Teilenummer

AX-IXTP4N65X2

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

301675 Stücke

Referenzpreis

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IXTP4N65X2 Datenblatt

Technische Daten für IXTP4N65X2

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