IXTP4N70X2M Datenblatt
Technische Daten für IXTP4N70X2M
Artikelnummer : IXTP4N70X2M
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 386pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220 Isolated Tab
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTP4N70X2M
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
233800 Stücke
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