IXXP12N65B4D1 Datenblatt
Technische Daten für IXXP12N65B4D1
Artikelnummer : IXXP12N65B4D1
Hersteller : IXYS
Beschreibung : IGBT
Serie : XPT™, GenX4™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 70A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 12A
Leistung max : 160W
Energie wechseln : 440µJ (on), 220µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 34nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 13ns/158ns
Testbedingung : 400V, 12A, 20 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 43ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : TO-220
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
192160 Stücke
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