JAN1N6622US Datenblatt
Technische Daten für JAN1N6622US
Artikelnummer : JAN1N6622US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/585
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 660V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 660V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : D-5A
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-JAN1N6622US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
44478 Stücke
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