K9F2G08U0D-SIB0 Datenblatt
Technische Daten für K9F2G08U0D-SIB0
Artikelnummer : K9F2G08U0D-SIB0
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
Serie : DDR3
Dichte : 2 Gb
Org. : x8
VCC-Strecke : 2.7 ~ 3.6 V
I / O-Geschwindigkeit : 40 Mbps
Verpackung : TSOP
Pin, Anzahl der : 48
Temp. : -40 ~ 85 °C
ECC : On-Chip ECC
Produckstatus : Sample
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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