LN100LA-G Datenblatt
Technische Daten für LN100LA-G
Artikelnummer : LN100LA-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Cascoded)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Leistung max : 350mW
Betriebstemperatur : -25°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-VFLGA
Supplier Device Package : 6-LFGA (3x3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-LN100LA-G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28511 Stücke
Referenzpreis
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