LND01K1-G Datenblatt
Technische Daten für LND01K1-G
Artikelnummer : LND01K1-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 9V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 330mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : +0.6V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 5V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -25°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-5
Paket / fall : SC-74A, SOT-753
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-LND01K1-G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1409895 Stücke
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