LSIC1MO120E0120 Datenblatt
Technische Daten für LSIC1MO120E0120
Artikelnummer : LSIC1MO120E0120
Hersteller : Littelfuse Inc.
Beschreibung : SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 20V
Vgs (Max) : +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1125pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 139W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
38064 Stücke
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